自2022年下半年以來，因為小功率IGBT芯片的緊缺，無法滿足客戶對小功率（75A以下）IGBT模塊的需求，經(jīng)公司決定，自主研發(fā)小功率IGBT芯片。
在公司研發(fā)團(tuán)隊的共同努力下，我們先后完成了15A,35A,50A自研IGBT芯片的研發(fā)設(shè)計以及流片并做了IGBT模塊的測試以及小批量生產(chǎn)使用。直至本周，我們自研的最后一款小功率IGBT芯片--25A芯片封測完成并進(jìn)行各性能指標(biāo)測試。
測試實驗部分圖示如下：
1，芯片的驗證（靜動態(tài)測試）：
125℃下對10PCS芯片進(jìn)行漏電和門檻電壓測試
短路測試
25℃短路測試 150℃短路測試
2，LEGM25BE120E2HZ模塊應(yīng)用測試：
由我司自研芯片封測的25A模塊，使用于柏川5.5KW變頻器上進(jìn)行短路沖擊等破壞性試驗
測試平臺和設(shè)備
0.1S啟停波形 運行中短路波形
根據(jù)測試結(jié)果顯示，該款產(chǎn)品總體表現(xiàn)優(yōu)秀，尤其是在過流能力以及保護(hù)關(guān)斷性能上更為突出。多個批次多次測試，性能參數(shù)一致性很強(qiáng)，產(chǎn)品性能穩(wěn)定，符合用戶需求，達(dá)到并超出用戶使用標(biāo)準(zhǔn)，可投入量產(chǎn)，規(guī)模化推廣。
至此，我司的75A以下小功率自研IGBT芯片基本可以正常量產(chǎn)并投入封裝批量出貨。為我們IGBT在市場供貨方面提供了更有力的保障。
